パワー半導体ガジェットは、ある構造から始まり、様々な段階を経て次の構造にエネルギーを変換するパワー・ハードウェア回路機械に利用される部品である。これらの部品は、ゲルマニウム、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）などの未精製のコンポーネントで作られています。パワー半導体ガジェットは、衛星フレームワーク、遠隔通信、PCフレームワーク、電気駆動装置の高レベル制御、受信ワイヤ、ブロードバンド遠隔技術など、幅広い用途で利用されている。

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パワー半導体ガジェット市場の課題

当社のパワー半導体ガジェット市場調査で示されたように、SiCガジェットはその駆動要件のために困難に直面している。SiCベースのガジェットを使用する動機は、保護された入口バイポーラ半導体に取って代わることである。それはともかく、SiCベースのガジェットとIGBTの駆動要件には大きなコントラストがある。ほとんどの半導体は通常、偶数レールを必要とする。逆に、SiCガジェットは完全に遮断するために限られた量の負電荷を必要とするため、偏ったレールを利用する。このため、余分なDCドライバや3つの関連性を持つ特殊なバッテリーが必要となり、便利なギアでの使用に影響する可能性がある。

パワー半導体の製造にはSiCや窒化ガリウムなどの高価な原材料が必要となり、最終製品のコストが上昇します。したがって、これらのデバイスを採用する中小企業（SME）が制限され、パワー半導体デバイスの市場規模が制限されます。

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パワー半導体デバイス市場の地域概要
地域的には、パワー半導体デバイスの市場規模がアジア太平洋、北米、ヨーロッパ、ラテンアメリカ、中東、アフリカで分析されました。これらの中で、アジア太平洋地域がパワー半導体デバイスの市場シェアに最も貢献しています。日本、中国、韓国、台湾を合わせると市場の 65% のシェアを占めます。インドは予測期間中に 10% の CAGR を記録すると予想されます。これらを総合すると、アジア太平洋地域は予測期間中に 43% の CAGR で成長すると見込まれます。政府の政策と半導体市場の活況は、アジア太平洋地域が予測期間中にパワー半導体市場で売上高を記録した2つの主な理由です。
日本におけるパワー半導体デバイス市場は、2022 年に 450 億米ドルと評価され、予測期間中に 5% の CAGR を記録し、2035 年には 840 億米ドルに達すると予想されています。生産施設を中国から日本に移転するという日本政府の取り組みと、そのための20億ドルの資金援助が、日本のパワー半導体市場の成長を促進しています。家庭用電化製品、自動車の安全性、5G、IoTなどの新技術に対する需要の急増が主な要因です。

原資料: SDKI Inc 公式サイト